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SI7882DP-T1-E3 Vishay Siliconix Autorisierte Ressource & konkurrenzfähiger Preis

  • SI7882DP-T1-E3 - Vishay Siliconix - IGBT-Transistoren
  • SI7882DP-T1-E3 - Vishay Siliconix - IGBT-Transistoren


Bilder sind als referenz
Siehe Produktspezifikation
Artikelnummer:
SI7882DP-T1-E3Datenblatt
Worldway Part:
SI7882DP-T1-E3-129288
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
IGBT-Transistoren
Anwendungen:
Automotive Körperelektronik & Beleuchtung Kommunikationsausrüstung Datenkommunikationsmodul Persönliche Elektronik Angeschlossene Peripheriegeräte und Drucker
Beschreibung:

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Paket:
QFN8
Paket/Fall:
PowerPAK® SO-8
Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
RoHS:
Bleifrei / RoHS-konform
Lagerkategorie:
Auf Lager
Lagerressource:
Überbestände ab Werk / Vertragshändler
Garantie:
1 Jahr Garantie auf Worldway » Lern mehr
EDA / CAD-Modelle:
SI7882DP-T1-E3 PCB Footprint und Symbol
Lieferung:
Lieferung
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SI7882DP-T1-E3(Vishay Siliconix) Spezifikationen
  • Hersteller-Teilenummer:

    SI7882DP-T1-E3

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Teilelebenszykluscode:

    Obsolete

  • Ihs Hersteller:

    VISHAY SILICONIX

  • Teilepaketcode:

    SOT

  • Paketbeschreibung:

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5

  • Pin Count:

    8

  • Compliance-Code erreichen:

    unknown

  • ECCN-Code:

    EAR99

  • Hersteller:

    Vishay Siliconix

  • Risikorang:

    5.44

  • Zusätzliche Funktion:

    FAST SWITCHING

  • Avalanche Energy Rating (Eas):

    7.2 mJ

  • Fallverbindung:

    DRAIN

  • Aufbau:

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS Durchbruchspannung-min:

    12 V

  • Drain Current-Max (Abs) (ID):

    13 A

  • Drain Current-Max (ID):

    13 A

  • Drain-Source On Resistance-Max:

    0.0055 Ω

  • FET-Technologie:

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JESD-30-Code:

    R-PDSO-C5

  • JESD-609 Code:

    e3

  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe:

    1

  • Anzahl der Elemente:

    1

  • Anzahl der Terminals:

    5

  • Betriebsart:

    ENHANCEMENT MODE

  • Betriebstemperatur-Max:

    150 °C

  • Verpackungskörpermaterial:

    PLASTIC/EPOXY

  • Verpackungsform:

    RECTANGULAR

  • Verpackungsstil:

    SMALL OUTLINE

  • Reflow-Spitzentemperatur (Cel):

    260

  • Polarität / Kanaltyp:

    N-CHANNEL

  • Verlustleistung-Max (Abs):

    5 W

  • Pulsed Drain Current-Max (IDM):

    50 A

  • Qualifikationsstatus:

    Not Qualified

  • Unterkategorie:

    FET General Purpose Power

  • Oberflächenmontage:

    YES

  • Terminal Finish:

    Matte Tin (Sn)

  • Terminalformular:

    C BEND

  • Terminalposition:

    DUAL

  • Time @ Peak Reflow Temperature-Max (s):

    40

  • Transistoranwendung:

    SWITCHING

  • Transistorelementmaterial:

    SILICON

  • · Weltweit größte Quelle für schwer zu findende Teile
  • · One-Stop-Einkauf
  • · Kosten für Supply-Chain-Lösung gesenkt

Wettbewerbsvorteil

· Schnelle Reaktionsfähigkeit
· Garantierte Qualität
· Globaler Zugriff
· Supply-Chain-Lösung
Worldway, die weltweit größte Quelle für Schwer zu findende Teile.
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Zahlungsinformationen »
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Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7882DP-T1-E3 DISTI # SI7882DP-T1-E3-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7882DP-T1-E3 DISTI # 781-SI7882DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS: Compliant 0  
SI7882DP-T1 DISTI # 781-SI7882DP
Vishay Intertechnologies MOSFET 12V 22A 1.9W RoHS: Not compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7882DPT1E3
Vishay Intertechnologies   RoHS: Compliant Europe - 990  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7882DP-T1-E3 DISTI # 1470159
Vishay Intertechnologies MOSFET, N, 8-SOIC RoHS: Compliant 0
  • 1 $4.9400
  • 10 $3.9800
  • 50 $3.1700
  • 100 $2.7400
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