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SI7774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Autorisierte Ressource & konkurrenzfähiger Preis

  • SI7774DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - ICs für elektronische Komponenten
  • SI7774DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - ICs für elektronische Komponenten


Bilder sind als referenz
Siehe Produktspezifikation
Artikelnummer:
SI7774DP-T1-GE3Datenblatt
Worldway Part:
SI7774DP-T1-GE3-5467990
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
ICs für elektronische Komponenten
Anwendungen:
Automotive Infotainment & Cluster Industrie Industrie transport (non-car & non-light truck) Persönliche Elektronik Gaming
Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Paket:
QFN-8
Paket/Fall:
PowerPAK® SO-8
Gerätepaket:
PowerPAK® SO-8
RoHS:
Bleifrei / RoHS-konform
Lagerkategorie:
Auf Lager
Lagerressource:
Überbestände ab Werk / Vertragshändler
Garantie:
1 Jahr Garantie auf Worldway » Lern mehr
EDA / CAD-Modelle:
SI7774DP-T1-GE3 PCB Footprint und Symbol
Lieferung:
Lieferung
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SI7774DP-T1-GE3(Vishay Siliconix) Spezifikationen
  • Hersteller-Teilenummer:

    SI7774DP-T1-GE3

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Teilelebenszykluscode:

    Obsolete

  • Ihs Hersteller:

    VISHAY SILICONIX

  • Teilepaketcode:

    SOT

  • Paketbeschreibung:

    SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5

  • Pin Count:

    8

  • Compliance-Code erreichen:

    unknown

  • ECCN-Code:

    EAR99

  • Hersteller:

    Vishay Siliconix

  • Risikorang:

    5.81

  • Avalanche Energy Rating (Eas):

    80 mJ

  • Fallverbindung:

    DRAIN

  • Aufbau:

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS Durchbruchspannung-min:

    30 V

  • Drain Current-Max (Abs) (ID):

    60 A

  • Drain Current-Max (ID):

    60 A

  • Drain-Source On Resistance-Max:

    0.0038 Ω

  • FET-Technologie:

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JESD-30-Code:

    R-XDSO-C5

  • JESD-609 Code:

    e3

  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe:

    1

  • Anzahl der Elemente:

    1

  • Anzahl der Terminals:

    5

  • Betriebsart:

    ENHANCEMENT MODE

  • Betriebstemperatur-Max:

    150 °C

  • Verpackungskörpermaterial:

    UNSPECIFIED

  • Verpackungsform:

    RECTANGULAR

  • Verpackungsstil:

    SMALL OUTLINE

  • Reflow-Spitzentemperatur (Cel):

    260

  • Polarität / Kanaltyp:

    N-CHANNEL

  • Verlustleistung-Max (Abs):

    48 W

  • Pulsed Drain Current-Max (IDM):

    80 A

  • Qualifikationsstatus:

    Not Qualified

  • Unterkategorie:

    FET General Purpose Power

  • Oberflächenmontage:

    YES

  • Terminal Finish:

    MATTE TIN

  • Terminalformular:

    C BEND

  • Terminalposition:

    DUAL

  • Time @ Peak Reflow Temperature-Max (s):

    30

  • Transistoranwendung:

    SWITCHING

  • Transistorelementmaterial:

    SILICON

  • · Weltweit größte Quelle für schwer zu findende Teile
  • · One-Stop-Einkauf
  • · Kosten für Supply-Chain-Lösung gesenkt

Wettbewerbsvorteil

· Schnelle Reaktionsfähigkeit
· Garantierte Qualität
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· Supply-Chain-Lösung
Worldway, die weltweit größte Quelle für Schwer zu findende Teile.
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Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7774DP-T1-GE3 DISTI # SI7774DP-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
SI7774DP-T1-GE3 DISTI # SI7774DP-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) Limited Supply - Call  
SI7774DP-T1-GE3 DISTI # SI7774DP-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7774DP-T1-GE3 DISTI # 781-SI7774DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR788DP-T1-GE3 RoHS: Compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7774DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies   2222  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI7774DP-T1-GE3 DISTI # 1858979
Vishay Intertechnologies MOSFET,N CH,SC DI,30V,60A,SO8 PPAK 0
  • 500 £0.9300
  • 250 £1.0100
  • 100 £1.0900
  • 10 £1.4000
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