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SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix Autorisierte Ressource & konkurrenzfähiger Preis

  • SI5933CDC-T1-GE3 - Vishay Siliconix - ICs für elektronische Komponenten
  • SI5933CDC-T1-GE3 - Vishay Siliconix - ICs für elektronische Komponenten


Bilder sind als referenz
Siehe Produktspezifikation
Artikelnummer:
SI5933CDC-T1-GE3Datenblatt
Worldway Part:
SI5933CDC-T1-GE3-5466698
Hersteller:
Vishay Siliconix
Kategorie:
ICs für elektronische Komponenten
Anwendungen:
Automotive Infotainment & Cluster Kommunikationsausrüstung Kabelgebundenes Netzwerk Persönliche Elektronik Angeschlossene Peripheriegeräte und Drucker
Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Paket:
1206-8
Paket/Fall:
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket:
1206-8 ChipFET™
RoHS:
Bleifrei / RoHS-konform
Lagerkategorie:
Auf Lager
Lagerressource:
Überbestände ab Werk / Vertragshändler
Garantie:
1 Jahr Garantie auf Worldway » Lern mehr
EDA / CAD-Modelle:
SI5933CDC-T1-GE3 PCB Footprint und Symbol
Lieferung:
Lieferung
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SI5933CDC-T1-GE3(Vishay Siliconix) Spezifikationen
  • Hersteller-Teilenummer:

    SI5933CDC-T1-GE3

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Rohs Code:

    Yes

  • Teilelebenszykluscode:

    Obsolete

  • Ihs Hersteller:

    VISHAY SILICONIX

  • Paketbeschreibung:

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

  • Pin Count:

    8

  • Compliance-Code erreichen:

    unknown

  • ECCN-Code:

    EAR99

  • Hersteller:

    Vishay Siliconix

  • Risikorang:

    8.55

  • Aufbau:

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • DS Durchbruchspannung-min:

    20 V

  • Drain Current-Max (Abs) (ID):

    3.7 A

  • Drain Current-Max (ID):

    2.5 A

  • Drain-Source On Resistance-Max:

    0.144 Ω

  • FET-Technologie:

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JESD-30-Code:

    R-PDSO-F8

  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe:

    1

  • Anzahl der Elemente:

    2

  • Anzahl der Terminals:

    8

  • Betriebsart:

    ENHANCEMENT MODE

  • Betriebstemperatur-Max:

    150 °C

  • Verpackungskörpermaterial:

    PLASTIC/EPOXY

  • Verpackungsform:

    RECTANGULAR

  • Verpackungsstil:

    SMALL OUTLINE

  • Reflow-Spitzentemperatur (Cel):

    260

  • Polarität / Kanaltyp:

    P-CHANNEL

  • Verlustleistung-Max (Abs):

    2.8 W

  • Pulsed Drain Current-Max (IDM):

    10 A

  • Qualifikationsstatus:

    Not Qualified

  • Unterkategorie:

    Other Transistors

  • Oberflächenmontage:

    YES

  • Terminal Finish:

    Pure Matte Tin (Sn)

  • Terminalformular:

    FLAT

  • Terminalposition:

    DUAL

  • Time @ Peak Reflow Temperature-Max (s):

    30

  • Transistoranwendung:

    SWITCHING

  • Transistorelementmaterial:

    SILICON

  • · Weltweit größte Quelle für schwer zu findende Teile
  • · One-Stop-Einkauf
  • · Kosten für Supply-Chain-Lösung gesenkt

Wettbewerbsvorteil

· Schnelle Reaktionsfähigkeit
· Garantierte Qualität
· Globaler Zugriff
· Supply-Chain-Lösung
Worldway, die weltweit größte Quelle für Schwer zu findende Teile.
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Part # Manufacturer Description Stock Price
SI5933CDC-T1-GE3 DISTI # SI5933CDC-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
SI5933CDC-T1-GE3 DISTI # SI5933CDC-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) Limited Supply - Call  
SI5933CDC-T1-GE3 DISTI # SI5933CDC-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® Limited Supply - Call  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI5933CDC-T1-GE3 DISTI # 70616994
Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET RoHS: Compliant 0
  • 300 $0.2900
  • 600 $0.2600
  • 1500 $0.2500
  • 3000 $0.2300
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI5933CDC-T1-GE3 DISTI # 78-SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5935CDC-T1-GE3 RoHS: Compliant 0  
Part # Manufacturer Description Stock Price
SI5933CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET 65
  • 57 $0.2400
  • 11 $0.3600
  • 1 $0.4800

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