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IPD60R3K3C6 Infineon Technologies AG Autorisierte Ressource & konkurrenzfähiger Preis

  • IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies AG - ICs für elektronische Komponenten
  • IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies AG - ICs für elektronische Komponenten


Bilder sind als referenz
Siehe Produktspezifikation
Artikelnummer:
IPD60R3K3C6Datenblatt
Worldway Part:
IPD60R3K3C6-4372058
Hersteller:
Infineon Technologies AG
Kategorie:
ICs für elektronische Komponenten
Anwendungen:
Automotive Infotainment & Cluster Kommunikationsausrüstung Drahtlose Infrastruktur Persönliche Elektronik Angeschlossene Peripheriegeräte und Drucker
Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Paket:
TO252
Paket/Fall:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket:
PG-TO252-3
RoHS:
Bleifrei / RoHS-konform
Lagerkategorie:
Auf Lager
Lagerressource:
Überbestände ab Werk / Vertragshändler
Garantie:
1 Jahr Garantie auf Worldway » Lern mehr
EDA / CAD-Modelle:
IPD60R3K3C6 PCB Footprint und Symbol
Lieferung:
Lieferung
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IPD60R3K3C6(Infineon Technologies AG) Spezifikationen
  • Hersteller-Teilenummer:

    IPD60R3K3C6

  • Pbfree Code:

    Yes

  • Rohs Code:

    Yes

  • Teilelebenszykluscode:

    Active

  • Ihs Hersteller:

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Teilepaketcode:

    TO-252

  • Paketbeschreibung:

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Pin Count:

    4

  • Compliance-Code erreichen:

    not_compliant

  • Hersteller:

    Infineon Technologies AG

  • Risikorang:

    0.87

  • Avalanche Energy Rating (Eas):

    6 mJ

  • Fallverbindung:

    DRAIN

  • Aufbau:

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • DS Durchbruchspannung-min:

    600 V

  • Drain Current-Max (Abs) (ID):

    1.7 A

  • Drain-Source On Resistance-Max:

    3.3 Ω

  • FET-Technologie:

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • JEDEC-95 Code:

    TO-252

  • JESD-30-Code:

    R-PSSO-G2

  • JESD-609 Code:

    e3

  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe:

    1

  • Anzahl der Elemente:

    1

  • Anzahl der Terminals:

    2

  • Betriebsart:

    ENHANCEMENT MODE

  • Betriebstemperatur-Max:

    150 °C

  • Verpackungskörpermaterial:

    PLASTIC/EPOXY

  • Verpackungsform:

    RECTANGULAR

  • Verpackungsstil:

    SMALL OUTLINE

  • Reflow-Spitzentemperatur (Cel):

    NOT SPECIFIED

  • Polarität / Kanaltyp:

    N-CHANNEL

  • Verlustleistung-Max (Abs):

    18.1 W

  • Pulsed Drain Current-Max (IDM):

    4 A

  • Qualifikationsstatus:

    Not Qualified

  • Unterkategorie:

    FET General Purpose Power

  • Oberflächenmontage:

    YES

  • Terminal Finish:

    Matte Tin (Sn)

  • Terminalformular:

    GULL WING

  • Terminalposition:

    SINGLE

  • Time @ Peak Reflow Temperature-Max (s):

    NOT SPECIFIED

  • Transistoranwendung:

    SWITCHING

  • Transistorelementmaterial:

    SILICON

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  • · Kosten für Supply-Chain-Lösung gesenkt

Wettbewerbsvorteil

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Part # Manufacturer Description Stock Price
IPD60R3K3C6ATMA1 DISTI # V72:2272_06391031
Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant 2500
  • 1000 $0.2064
  • 500 $0.2097
  • 250 $0.2129
  • 100 $0.2162
  • 25 $0.2413
  • 10 $0.2449
  • 1 $0.2721
IPD60R3K3C6ATMA1 DISTI # V36:1790_06391031
Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant 0
  • 2500 $0.2365
Part # Manufacturer Description Stock Price
IPD60R3K3C6ATMA1 DISTI # IPD60R3K3C6ATMA1TR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR) 2500
In Stock
  • 25000 $0.2250
  • 12500 $0.2310
  • 5000 $0.2398
  • 2500 $0.2576
IPD60R3K3C6ATMA1 DISTI # IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) 2500
In Stock
  • 1000 $0.2928
  • 500 $0.3660
  • 100 $0.4630
  • 10 $0.6040
  • 1 $0.6900
IPD60R3K3C6ATMA1 DISTI # IPD60R3K3C6ATMA1DKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® 2500
In Stock
  • 1000 $0.2928
  • 500 $0.3660
  • 100 $0.4630
  • 10 $0.6040
  • 1 $0.6900
IPD60R3K3C6 DISTI # IPD60R3K3C6TR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 2500 Container: Tape & Reel (TR) Limited Supply - Call  
IPD60R3K3C6 DISTI # IPD60R3K3C6CT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT) Limited Supply - Call  
IPD60R3K3C6 DISTI # IPD60R3K3C6DKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel® Limited Supply - Call  

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